Vorbereitung von EBSD-Proben für Halbleiter-Leistungsgeräte der dritten Generation
Die Halbleiter-Leistungsgeräte der dritten Generation werden hauptsächlich auf Basis von Halbleitermaterialien wie Siliziumcarbid (SIC) und Galliumnitrid (GaN) hergestellt. Im V...
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Jul.10.2025