Vorbereitung von EBSD-Proben für Halbleiter-Leistungsgeräte der dritten Generation
                                       Die Halbleiter-Leistungsgeräte der dritten Generation werden hauptsächlich auf Basis von Halbleitermaterialien wie Siliziumcarbid (SIC) und Galliumnitrid (GaN) hergestellt. Im V...                                
                                
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                                    Jul.10.2025
                                
                            
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