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Automatische Trennschleifmaschine Beta-300Pro
Beta-300Pro ist eine vollautomatische vertikale metallografische Schneidemaschine. Es nutzt forts...
#SiCCeramic #EBSD #MetallographicSamplePrep #HalbleiterMaterial #MaterialTesting
Siliziumkarbid (SiC)-Keramik zeichnet sich durch hervorragende Wärmeleitfähigkeit, Hochtemperaturbeständigkeit, Verschleiß- und Korrosionsbeständigkeit aus und wird häufig in der Halbleiterfertigung, der Photovoltaik für neue Energien, dem Wärmeschutz in der Luft- und Raumfahrt sowie der Hochtemperaturmetallurgie eingesetzt. Ihre Betriebsleistung wird von der Kornmorphologie, den Kornrandbedingungen und der Eigenspannung dominiert.
EBSD dient als wesentliche Charakterisierungsmethode zur Analyse der Kornorientierung, Textur und Mikrodefekte von SiC. Zuverlässige EBSD-Daten steuern die Sinteroptimierung und verhindern Bauteilausfälle. Eine präzise Probenvorbereitung bestimmt den Erfolg der EBSD-Indizierung für harte und spröde SiC-Keramik. Standard-Schleifpapiere versagen beim Schleifen; Diamantscheiben und Vibrationspolieren sind erforderlich.
Abbildung 1: Mikroaufnahme einer Siliziumkarbid (SiC)-Keramikprobe (Maßstab: 300 μm)
Abbildung 2: Mikroaufnahme einer Siliziumkarbid (SiC)-Keramikprobe (Maßstab: 300 μm)
Unser SiC EBSD-Vorbereitungsverfahren:
1️⃣ Grobschliff mit P400-Diamantscheibe zur Planarisierung
2️⃣ Feinschliff: POS-Pad 9μm PD-WT Diamantsuspension
3️⃣ Grobpolieren: SC-JP-Tuch, 3 μm PD-WT-Suspension
4️⃣ Zwischenpolieren: ZN-ZP-Tuch AO-A439 Suspension
5️⃣ Abschließendes Vibrationspolieren: ZN-ZP-Tuch AO-A439-Suspension
#Trojaner | #Trojanermetallography
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